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对于一个新工艺节点，FAB 厂先设定 device 种类和目标 target，至于这些 target 怎么来的，可以有很多途径，落后的 FAB 厂一般都可以通过业内其他 FAB 厂 device 的 performance 猜到对方 device 的 target，或者其他不可言明的途径得到 device list 和 device target，对于工艺领先的公司，研发投入都是巨大的，每一代通过 device 仿真，能够得到一个理论的目标值，只要没有新的特殊工艺引入，仿真都能作为指引，来获得目标值，如果工艺开发困难比预期的大，可能会降低 target 来 meet 目标完成的开发周期，实在是逼近极限了，开发周期也可能会变动、修改，当然，落后的公司也会去仿真，看能不能达到拿到的 target 值的水平，只不过落后的公司就是全方位落后领先的公司，连开发能力，人员素质，经验都会有很大差别，如果先进的公司一直人员稳定，落后公司在 FAB 工艺节点上几乎没法超越先进公司，别看三星天天喊着自己要量产 3nm 工艺了，但实际三星的订单远不如台积电，三星工艺的主要问题是同节点比台积电漏电大得多，漏电大就意味着功耗高，表现就是手机发热，待机时间和使用时间都比别人短，现在手机性能其实略有过剩，如果能保证明显更长的使用时间，恐怕略微降频都可以接受。 新工艺通过一定的开发过程，工厂宣布他们工艺平台 device 差不多了，可以开始拉客户进来同步验工艺了，有的时候客户等不及，会进的更早，跟 FAB 一起开发工艺，这个时候是问题最多的时候，inkine，WAT，验证用的芯片在过程中都可能发现工艺的巨大问题，有的会严重影响 device 工作，有的会有可靠性问题，有的会杀良，针对发现的问题，工厂要去解决问题，对 device 特性有巨大影响的，比如改变了某个工艺，导致 VT 和 Idsat 有巨大变化，但是向好的方向变化，经过一定的验证手段证明工艺改进具有可重复性，没有可靠性问题，评审可以变更工艺框架，或者关键工艺步骤，这种情况一般称作不同的 BKM(Best Knowledge of Methodology) 版本，工艺开发过程中一般会经过多个 BKM 叠代，直到 device fix，工艺平台可靠性 pass，以这个最终版本 device 特性做出的 model 一般是最终版本的 PDK。 对于一个相对成熟一些的平台，产品进来后发现良率不够稳定，有的是 defect 造成的，有的是一些工艺步骤稳定性不足，或者工艺步骤有一些缺陷造成的比如光刻胶显影不干净，导致后续的注入不完全，wafer 中心和边缘的某些层次的某些结构尺寸差异太大，膜层厚度差异太大，刻蚀速率片内均匀性不足，等等问题，通过单项工艺的优化，可以改善的，不影响器件特性的一些优化动作，一般成为 CIP(Continue Improvement Plan)，跟它对应的是 CIT，就是 Continue Improvement Team，由持续改善小组来执行持续改善的计划，最终达到良率提高的目的，降低工艺的 D0 到比较接近理论值为止，此时工艺平台变成了成熟平台，这个时候，一般不同 die size 的产品进来投片，良率水平都会比较稳定，尽管 gross die 数量少的芯片良率会低一些，但这也是比不成熟的时候良率要高很多，关键是量产稳定性好。 那么大家应该知道 BKM, PDK, CIP 这 3 者之间的关系了吧！我们来总结一下: 通过 BKM 版本的叠代，得到初版到终版的 PDK，而 CIP 可以是任何情况下对良率有改进作用的工作，这个良率不单单指 CP 的良率，也包括 line yield，因为如果把 inline 缺陷比例算进去了的话，也相当于在杀良，只不过这个缺陷的大小，位置对真实的产品是否会形成真实的良率损失是不一定的，比如一个导电的粒子掉在了空旷的地方，它就不会影响电路性能，也就不会造成真实的良率损失，相反，如果它掉在两条导线之间就很可能造成电路失效。
