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一、闩锁效应：实际上是由于 CMOS 电路中基极和集电极相互连接的两个 BJT 管子 (下图中，侧面式 NPN 和垂直式 PNP) 的回路放大作用形成的，在两个管子的电流放大系数均大于 1 时，电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大，从而导致管子承受的电流过大而烧毁芯片的一种现象。
二、闩锁效应的原理分析：
状态一：假设在 N 阱或者 Psub 中由于外界的原因产生了载流子注入，电流分别为 In 和 Ip, 且 In*R_nwell=0.6，Ip*R_psub=0.6(假设 PN 结的导通电压 <0.6)。
状态二：在所设压降下，PNP 的基极电位为 1.2V, 集电极电位为 0.6V, NPN 的基极电位为 0.6V, 集电极电位为 1.2V，此时 PNP 和 NPN 的发射结都正偏, 集电结都反偏。从而两个 BJT 管子可进行电流放大，PNP 产生了基极电流 Ib1, 则集电极电流 IC1=β1Ib1, NPN 产生了基极电流 Ib2, 则集电极电流 IC2=β2Ib2。在近似状态下，Ib1=β2Ib2，Ib2=β1Ib1，因此在后面的循环中，NPN 的集电极电流作为 PNP 新的基极电流进行电流放大，PNP 的集电极电流作为 NPN 新的基极电流进行放大。多次循环之后，电流会被持续放大。
三、闩锁效应的抑制方法（部分方法）：
1. 拉开 NMOS 和 PMOS 的间距：破坏电流循环中的一环，使侧面式 NPN BJT 管子的基区变厚，载流子的收集变的困难，很难进行电流的放大。
2. 使用 Guard ring，衬底电位接出的部分采用环形绕线: 降低 VDD 和 Vss 的导通电阻，也即降低 Rwell 和 Rsub 的阻值，防止 BJT 的基极和集电极电位相等，破坏 BJT 导通的条件。
3.Substrate contact 和 well contact 应尽量靠近 source: 缩短了 Rwell 和 Rsub 的电阻的长度，减小了其电阻值。
