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MOS 管是芯片中最基础的器件，强大复杂功能的芯片是由千千万万个 MOS 管按照一定的逻辑结构连接在一起，接下来将会通过几个部分来深入了解 MOS 管。
一、MOS 管的分类
区别于 BJT 三极管（电流控制），MOS 管是一种压控器件，M 表示金属，O 表示氧化物，S 表示半导体，这样的三明治结构就构成了一个 MOS 电容，通过在金属 M 端加电压，可以在半导体 S 端感应出相应的正负电荷。根据沟道类型的不同，MOS 管分为 NMOS 管和 PMOS 管（如何快速区分两者，就是 NMOS 的沟道是 P 型半导体，电子参与导电，PMOS 的沟道是 N 型半导体，空穴参与导电）。NMOS 的电流是从漏端 D 流到源端 S(VD>Vs)，PMOS 则是相反的 (VS>VD)。关于 MOS 管具体的工作原理（两条重要的特性曲线）可以参考本号之前发布的两篇文章。从工作原理看，MOS 管利用了半导体中多子参与导电，而由于 NMOS 的多子是电子，PMOS 的多子是空穴，电子的迁移率要大于空穴的，因此为了提高整个芯片的响应速度和工作效率，芯片中多用 NMOS 管。
NMOS 和 PMOS 的电路符号、剖面图、特性曲线
NMOS 和 PMOS 的输出特性曲线各区电流公式
二、MOS 管源漏电极的区分
事实上，MOS 管的源漏电极在工艺制造上是没有差别的，工艺上可以进行互换，对于 NMOS 管来说，接高电平的就定义为漏端，对于 PMOS 管来说，接高电平的就定义为源端。在 MOS 管中，除了栅源漏（GDS）端之外，其实还有第四端衬底端，衬底端通常是要和源端接到一起，这可以避免体效应带来的影响。通常来说，NMOS 管的衬底和源端短接地 GND, PMOS 管的衬底和源端短接接 VDD。如下图所示为一个 P 型衬底的芯片, 由于所有的 NMOS 管都共用一个衬底，因此所有 NMOS 管的源极和衬底电极短接后都为应接 GND，而不可能变为其他电位（如果确实需要，建议采用深阱工艺，将各 NMOS 管隔离开，就像是图中 PMOS 一样，有单独的衬底），这是在进行芯片版图设计的时候需要非常注意的。同时不同 PMOS 的源极电位彼此之间是可以不同。
