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一、写在前面的几个概念：
①输出特性曲线：固定 VGS 值，且数值大于阈值电压时，MOS 晶体管的源漏电流 IDS 随 VDS 的变化曲线。
②阈值电压 Vth：当半导体层处于临界反型时，施加在 MOS 管栅电容两端的电压值。
③输出电流电压关系表达式：
二、特性曲线各区详解
线性区：当源漏电压 VDS 较小，栅源电压 VGS 和栅漏电压 VGD 的值均远大于 Vth，此时整个沟道中的各处电子均匀的分布，在沟道中各点电位是从漏端到源端逐渐降低，栅极与沟道层各点的压差始终大于 Vth，因此沟道层始终处于反型状态。同时沟道层与衬底形成的耗尽层宽度是逐渐减小的（PN 结两端反偏电压越大，耗尽层宽度越大，图中粉色斜杠部分为耗尽层）。随着 VD 的增大，
饱和区：继续增大 VD，当其增大到与栅极电压 VG 的压差 VGD=Vth 时，漏端和衬底的接触点正好处于反型为 N + 沟道的临界点 A。继续增大 VD，会导致 VGD<Vth，对应处的沟道不会发生反型，此时沟道的夹断点会移动，在新的夹断位置 A 处的电压 VA 满足条件: VG-VA=Vth，沟道中各点电位均小于 VA，因此从 A 点到 S 点的中间的沟道均处于反型状态，从而形成沟道。即使 VD 的值一直增大，增大的电压部分会落到耗尽层上，即漏端 - 临界点位的电压差 VDA 会一直增大，那么耗尽层的宽度会逐渐变宽，临界点 A 点会逐渐向源端移位，但是 VA 和 VS 之间的电压是恒定的，那么流过沟道中的电流基本是不变的。
一、重要参数
转移特性曲线： 固定 VDS 值，MOS 晶体管的源漏电流 IDS 随栅源电压 VGS 的变化曲线。
阈值电压的提取方法：
①恒电流法： 在转移特性曲线上取电流 I =W/L*100E- 9 时的栅极电压。
②曲线外推法：根据饱和区源漏电流与栅源电压的关系式，
取晶体管处于饱和区时较大的 VDS 值，如 15V, 使晶体管处于饱和区，做 Sqrt(ID)-VGS 的曲线，反向延长该曲线，其与 X 轴的交点即为阈值电压。
迁移率的提取方法： 根据线性区源漏电流的表达式，取 VDS 为较小的值，如 0.1V 时，做 ID-（VGS-Vth）的曲线，求该曲线的斜率，即可求出迁移率 μn 的值。
二、特性曲线各区详解
截止区：图中绿色虚线框选区域为 NMOS 管工作截止区，此时 MOS 管未开启，负压 Vgs 越大，漏电流越大。这并不是常规理解的 MOS 管栅极电压越高，管子关的越彻底，漏电流越小，造成这种反常现象的其一原因是 GIDL(Gate Induced Drain Leakage), 即栅极与漏极之间的交叠导致的栅极漏电，栅压越强，漏电越大。其二原因是栅极负电压增大导致沟道表层空穴增多，p 型属性增强，沟道层与漏端组成的 PN 结反偏电流增大，从而关态漏电流增加。
亚阈值区：Vgs<Vth, 沟道逐渐开启，MOS 管进入弱反型状态，电流开始急剧增加。 其中有个比较关键的指标，亚阈值摆幅 (SS)，它表示漏极电流变化一个数量级所需的栅极电压增量，较好性能的 MOS 管其 SS 值应较小，即较小 SS 就可以引起一个数量级漏极电流的增加。工作定义：VD=0.1V 时，Ids 从 W /L*1E-10 至 W /L*1E- 9 的栅电压变化量。
线性区和饱和区：Vg>>Vt 时，反型层厚度不断加厚，导电性能不断增加。
