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为什么电阻会出现非线性？为什么 Vds 增大一定程度后，电流值趋于不变？
下面以 NMOS 为例
在不考虑沟道长度调制效应情况下，
为什么会电阻出现非线性？当 VDS 的值逐渐增大，VG 和 VD 相接近，电场强度差不多，吸引电荷少，反型层不均匀，电阻呈非线性。
为什么 Vds 增大一定程度后，电流值趋于不变？当 VD 逐渐增大，PN 结反偏，耗尽层增大，耗尽层是高阻。假设将沟道电阻与耗尽层电阻等效为 R1 和 R2，R1 和 R2 是串联的，如下图所示，
当 VDS 增大，由分压原理知，R2 是高阻，VDS 很大一部分都落在 R2 上，故通过 R1 的沟道电流近似为恒定。
NMOS 是沟道载流子是电子，PMOS 的沟道载流子是空穴，所以 NMOS 是高电平导通，PMOS 是低电平导通。所以 PMOS 的输出特性曲线，以及饱和区工作条件与 NMOS 都是相反的，工作原理是相同的。
正文完
