在半导体工艺中，通常会有 深 N 阱（DNwell，Deep N-well），但很少见到 深 P 阱（DPwe…
SRAM 01 什么是 SRAM？ SRAM，全称为静态随机存取存储器（Static Random Acces…
在 CMOS 工艺中，除了标准的 PMOS 和 NMOS，还会有 Native MOS…
WEE（Wafer Edge Exposure，晶圆边缘曝光） 是光刻（Lithography）工艺中的一个关…
EBR（Edge Bead Removal，边缘去胶） 是半导体制造工艺中用于去除 …
在半导体制造过程中，IMP（Ion Implantation，离子注入）层 和 ET…
MOS 管内部结构 左图为 npn 型三极管，通过三极管结构对比看 MOS 管，下边进行分析 M…
一、结构原理 1.1 结构组成 MOM 电容是利用 同层金属层之间的交叉叠加 形成的金属 – 氧化物 – 金属…
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化，芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级（如 3nm、2nm）。但尺寸缩小…
MOM（Metal-Oxide-Metal Overlap）电容和 MIM（Metal-Insulator-M…
一、先进工艺使用 MOM 电容的动因：六大维度详解 1. 版图资源的重构：金属层越来越多，适合 MOM 架构 …
在 MOS 器件设计中，“finger（指型）”和“multiplier（倍乘）”是描述晶体管布局结构中 几何…
eFuse（electronic fuse，电子熔丝）是一种集成在芯片内部、用于一次性或有限次可编程存储的小型…
1. 光学系统的基本原理与物理限制 1.1 投影光学的工作原理 1.2 掩模（Reticle）与缩小倍率 2….
STI（Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离）逐渐取代 LOCOS（Local Oxi…
在钨（W）镀膜前，通常会先沉积 Ti（钛） 和 TiN（氮化钛） …
概述 硅晶圆的不同晶向（如〈100〉、〈110〉、〈111〉）对应晶体学中的不同晶格平面，在电子迁移率、氧化速…
杨绛先生在《一百岁感言》中说:“我们曾如此渴望命运的波澜，到最后才发现，人生最曼妙的风景，竟是内心的淡定与从容…
MOSFET 的电性参数控制对集成电路甚为重要，然而也受制程的影响最多。栅极氧化层是 MOSFET 的核心组成…
制程异常就像车间里的“隐形刺客”，稍不留神就会让良率暴跌、成本飙升。今天，我就帮你彻底搞懂制程异常的 预防、识…
热载流子注入效应（Hot Carrier Injection, HCI）是指在半导体器件中，由于载流子的热激发…
之前在写封装可靠性流程的时候，注意到 JESD47 文件在介绍 THB、BHAST、UHAST 时，对这三组实…
STI（浅沟槽隔离）、DTI（深沟槽隔离）和 LOCOS（局部氧化硅）是半导体制造中用于隔离不同器件（如晶体管…
在 FAB 中经常听到 Q -Time 的管控，那什么是 Q -Time? 为什么要进行 Q -Time 的管…
1. 什么是 Dishing? Dishing，也叫碟型缺陷。如图 1 所示，CMP 工艺之后在 wafer …
热载流子注入效应（Hot Carrier Injection, HCI）是摩尔定律推动下的技术挑战之一。随着工…
在智能手机、电脑芯片的微观世界里，每一块指甲盖大小的集成电路，都藏着数十亿个精密运转的“电子开关”。而这一切的…
你问：我经常发现自己在汇报工作、开会发言或者与同事交流时，讲话逻辑不够清晰，总是跳来跳去，让人听不懂我在说什么…
BOM（Bill of Materials），即物料清单，是制造业（包括新能源汽车行业）中非常关键的一个概念和…
在半导体制造这个精密而复杂的领域，有一个关键岗位掌控着芯片制造流程的顺畅与高效，它就是工艺整合工程师（Proc…
